【报告题目】免掺杂钝化接触晶体硅异质结太阳电池的稳定性和载流子选择性研究
【报 告 人】李东栋研究员 中科院上海高等研究院
【报告时间】2023年3月25日（星期六），上午9:00
【报告地点】29幢414室
【报告摘要】钝化接触异质结电池可有效抑制同质结电池中的复合损失和费米能级钉扎，是高效晶硅电池发展的重要方向。HJT（非晶硅/晶体硅异质结）和TOPCon（隧穿氧化层钝化接触）电池作为钝化接触晶体硅电池的代表，已进入产业化阶段，但仍存在设备或工艺成本较高、寄生吸收较大等问题。采用过渡金属化合物替代HJT和TOPCon电池中的硅薄膜，已成为钝化接触太阳电池的研究热点。本报告将重点介绍研究团队近年来在化合物/晶硅钝化接触电池中的研究进展，从材料、界面、器件等维度入手，观察和解释新材料中的缺陷态、界面演变。针对如何提升对晶体硅表面空穴提取和电子阻挡的特性，如何提升钝化能力，如何保证界面和器件的稳定性等关键科学问题，寻找有效的解决方案。
【报告人简介】李东栋博士为中科院上海高等研究院研究员、博士生导师、国家优青基金获得者。围绕高效
光电器件中的薄膜生长、极端制造、界面调控、光电传输机制等共性关键问题，从事太阳电池、生物芯片、类脑计算等领域的应用开发。至今出版英文专著两部，发表SCI论文130余篇，成果转化2项，相关成果被多家网络媒体和电视台报道。
【邀 请 人】黄仕华教授
欢迎感兴趣的教师和研究生参加！
